Китайският полупроводников производител SMIC (Semiconductor Manufacturing International Corporation) направи значителна стъпка в развитието на своя 7-нанометров технологичен процес, като постигна метален разстояние (metal pitch) от 32.5 нанометра. Това постижение беше разкрито чрез първия анализ на новата лаборатория SemiAnalysis, която разгледа чипа HiSilicon Kirin 9030, произведен от SMIC.
Какво се случи
SemiAnalysis публикува подробен разбор на HiSilicon Kirin 9030, първия чип, използващ третото поколение 7nm технологичен процес на SMIC. Анализът показа, че минималното метално разстояние на SMIC е 32.5 nm, което е по-малко от това на Intel 18A, чийто метален разстояние е по-голямо. Въпреки това, плътността на транзисторите при SMIC е с около 38% по-ниска в сравнение с Intel 18A, което показва, че макар металният разстояние да е по-малък, общата интеграция на транзистори не достига нивата на Intel.
Защо това е важно
Постигането на по-малък метален разстояние е ключов фактор за подобряване на производителността и енергийната ефективност на чиповете, тъй като позволява по-компактно разположение на електрическите връзки. Това може да доведе до по-бързи и по-ефективни процесори. Въпреки това, по-ниската плътност на транзисторите показва, че SMIC все още има предизвикателства в оптимизирането на цялостната архитектура и интеграция на чиповете си.
По-широк контекст
SMIC е основен играч в китайската полупроводникова индустрия и ключов доставчик за компании като Huawei, които са подложени на международни санкции. Развитието на напреднали технологични процеси като 7nm е стратегически важна стъпка за Китай в усилията му да намали зависимостта си от западни технологии. В същото време Intel продължава да води в технологичното развитие с процеси като 18A, които предлагат по-висока плътност и производителност.
Този анализ също така подчертава предизвикателствата пред китайските производители да достигнат нивата на водещите световни компании, въпреки напредъка в някои ключови параметри като металния разстояние.
Какво може да последва
Постиженията на SMIC в металния разстояние са окуражаващи и могат да стимулират по-нататъшни инвестиции и разработки в китайската полупроводникова индустрия. Въпреки това, за да се конкурира ефективно с водещи компании като Intel, SMIC ще трябва да подобри плътността на транзисторите и други аспекти на дизайна и производствения процес.
В бъдеще можем да очакваме нови анализи и тестове на чипове, произведени с тези технологии, които ще дадат по-ясна представа за реалната производителност и ефективност на SMIC. Това ще бъде важен индикатор за развитието на глобалния пазар на полупроводници и технологичната независимост на Китай.
