Нов пробив в 3D силициевите чипове може да удължи живота на закона на Мур
Учени разработиха нов метод за производство на триизмерни силициеви чипове, който позволява да се увеличи плътността на интеграция без да се намалява размерът на транзисторите. Тази технология може да забави забавянето на напредъка в микроелектрониката и да поддържа развитието на компютърните мощности в следващите години.
30.05.2026 13:40